碳化硅（SiC）电力电子设备将取代IGBT-这是英飞凌，ROHM和其他国际知名公司的一致看法。而且比亚迪已经开始布局。据国内媒体报道，比亚迪半导体产品总监杨钦尧最近表示，比亚迪的汽车级IGBT已达到第五代，碳化硅MOSFET已达到第三代，第四代正在开发中。该公司目前正计划建造自己的SiC生产线，预计明年将拥有自己的生产线。当涉及到SiC时，每个人可能都有些陌生。碳化硅（SiC）实际上是一种广泛使用的老牌工业材料。它于1893年开始批量生产，从那以后一直在使用。但是，很难在自然界中找到碳化硅。在新能源汽车领域，碳化硅主要用于功率控制单元。目前，主流汽车制造商仍在使用IGBT（绝缘栅双极晶体管芯片），但是Tesla和BYD已开始在Model 3和Han EV模型上使用SicMOSFET（碳化硅功率场效应晶体管）。值得一提的是，汉EV也是首批批量配备SicMOSFET组件的家用汽车。与IGBT相比，碳化硅（SiC）是作为控制器的更先进的功率电子芯片。频率和效率可能非常高，并且体积可能非常小。研究表明，与IGBT相比，SiC的功率损耗降低了87％。结合有关车辆中功率半导体能量损失比例的数据，可以得出结论，简单地用SiC代替IGBT可以将车辆的续航里程增加约10％，这对于电动车来说是一个很大的好处注重耐力的车辆。 。比亚迪在半导体行业拥有较早的布局。早在2005年，它就成立了IGBT团队，并于2009年推出了首款自主开发的IGBT芯片，打破了外国公司的技术垄断。目前，比亚迪已开发出SiCMOSFET。根据比亚迪宣布的计划，预计到2023年，其电动汽车将完全替代碳化硅功率半导体IGBT，在现有基础上，汽车性能将再提高10％。