美国国家标准技术研究院（NIST）的纳米线专家开发了一种UV LED，由于采用了特殊的外壳，基于更简单的外壳设计，其光强度是同类LED的五倍。 UV LED在越来越多的应用中使用，例如聚合物固化，水净化和医疗消毒。 Micro LED也是视觉显示的焦点。 NIST的工作人员正在试验基于纳米线的LED和用于电子和生物应用的扫描探针。这种具有更高光强度的新型LED是NIST在制造高质量GaN纳米线方面的专业知识的产物。最近，研究人员一直在试验由掺硅GaN制成的纳米线核。该核具有多余的电子，并被镁掺杂的GaN制成的壳包围。这些壳具有附加的电子结合壳。孔。 LED产生的光是由于电子和注入到外壳中的空穴的复合所致。新的LED在外壳中添加了少量的铝，从而减少了由电子溢出和光吸收引起的损耗。如“纳米技术”中所述，期刊中，这种新型LED由具有p-i-n结构的纳米线制成。三层设计将电子和空穴注入纳米线。添加的铝有助于将电子限制在纳米线核心上，从而使电致发光强度提高五倍。铝的作用是引入电流的不对称性并防止电子流入壳体。尽管这将降低效率，但是它可以将电子和空穴限制在纳米线的核心。第一作者马特·布鲁贝克（Matt Brubaker）说。纳米线测试结构的长度约为440nm，外壳厚度约为40nm。包括外壳在内的最终LED几乎大了10倍。研究人员发现，添加到制造结构中的铝量取决于纳米线的直径。研究负责人Kris Bertness说，至少有两家公司正在开发基于纳米线的Micro LED，NIST已与其中之一签署了合作研发协议，以开发掺杂剂和结构表征方法。研究人员已经与Scanning Probe Company就使用NIST的LED技术进行了初步讨论，NIST计划很快展示原型LED。