我知道返回电流将使用最接近信号走线的平面。所以您能给我这两个具体条件的答案吗？ 1）当我们说4层时，层123是信号层，而连续的接地层在第4层上。对于所有3层信号，返回电流路径将在第4平面上，因为没有其他平面。 2）现在，对于第二种情况，4层叠加是信号接地平面信号。假设在第3层上有信号走线，但我还在第3层的某些区域（不完整）上注入了一些vcc走线的铜。然后，如果在第4层上绘制了信号走线，则返回电流将注入到地平面上层2或层3上部分铜的一部分，这样走线将在部分铜铸件下面通过，而不会在部分铜铸件上通过。我希望我很清楚。如果您发布一些照片，它将更加清晰。另外：用于高速信号的PCB是什么？如果不是，请记住，返回电流（实际上是任何电流）始终遵循阻抗最小的路径。 -对于DC和低频填充（数百ns的“几个MHz /”开关边缘，不必担心太多的RF魔术），接地平面将是返回路径。进入甚高频范围后，返回路径通常是阻抗最小的路径。如果您的VCC电源板有很多陶瓷去耦，那么返回电流将沿着最近的层流流动（即，对地或对地的电容耦合良好）@Sam，我不知道如何。电容器对返回电流有影响，因为返回路径是一条很大的路，并且电容器位于引脚附近。我对dec的唯一了解。帽。他们有频率。因此，通过将其中一些并联连接，我们可以获得低阻抗，并且它们提供了我们想要的更恒定的电压电平。 @EnricBlanco因此，在这种情况下，由于连续接地可能具有最低的阻抗，这将是我们的返回电流路径，因为任何一层的部分铜铸件的阻抗都不能低于完全铸成的接地层的阻抗，但是如何到达每个平面（通孔）将对平面上倾铜的阻抗产生更大的影响。好的陶瓷去耦电容器非常接近高频信号的短路，这就是为什么它们允许返回电流在频率范围较高端的各层之间通过的原因。 DC / LF可能会穿过接地层，但如果有紧密的去耦电容器，那么多频事物将希望保持尽可能靠近信号走线，以便HF可以沿着信号走线更靠近信号走线VCC层，然后就可以了。如果没有任何东西以几兆位的频率运行，并且没有任何东西产生低于100ns的开关沿，那么我并不担心。 -Sam在2017年2月23日23:25，但没有实际联系。我的意思是，如果我们将一条连接线从源极连接到接收器，例如从MCU引脚连接到i2c传感器引脚，那么电磁场将实现此目的，并且电流将沿着相同的路径返回，但在平面上。实际上，在我看来，我们在任何地方都没有物理连接。我很困惑:)-因此，实际上总结所有这些细节（例如，阻抗接地层堆叠）在高速或高频时都很重要。在低频时，我不必太担心。诸如mcu传感器之类的电路-电流将根据其阻抗将所有可能的方式分开，因此最短和更导电的方式将获得更多的电流，而不是更长和更少的导电性。但是，您可以考虑每根导线/通孔/连接器/相等电阻以及（通常较小的）电容和电感的组合。然后您必须解决由此产生的网络，以便随时随地获取电流和电压值。通常这并不重要，因为路径很宽，几乎所有电流都是这样，并且路径中的阻抗很小，反正电压几乎为零。 -为什么要关心回流电流？您是否担心辐射或信号完整性？或者是其他东西？无论如何，您应始终将最快的边沿信号路由到连续平面附近的位置。如果飞机上有任何中断，请不要在该中断处发送快速边沿信号。这适用于两个堆叠选项。时钟和任何具有快速上升和下降时间的信号都应靠近GND放置。如果在内部层上放置GND，则可以在GND旁边放置两个跟踪层。要考虑的事情。 。我想尽可能多地学习。我可以再问一件事，我知道gnd内部是否有2层相邻，但是如果我们有4层并且其中3层可以用于高速跟踪，那么它们中的第4层将是完整的戈伦德平面。堆叠就像信号地信号编辑一样：hfy