高通发布了第四代Snapdragon汽车数字驾驶舱平台,进入了5nm时代!

在工艺技术方面,以手机为代表的消费电子产品远远领先于汽车芯片。但是昨晚,这种情况发生了变化。
高通发布了第四代Snapdragon汽车数字驾驶舱平台,并带来了全球首款5nm汽车芯片,为下一代汽车架构的发展指明了方向。据报道,第四代Snapdragon汽车数字座舱平台不仅配备了业界最先进的5nm工艺,而且还使用了第六代Qualcomm KryoCPU,Qualcomm Hexagon处理器,多核Qualcomm AI引擎,第六代Qualcomm AdrenoGPU和Qualcomm SpectraISP,可与旗舰手机SoC Xiaolong 888相媲美。
Qualcomm表示,由于高复杂性,成本以及对中央计算集成性能的需求,汽车数字座舱正在向电子/电气( E / E)计算架构。第四代Snapdragon汽车数字驾驶舱平台是高性能计算,计算机视觉,人工智能和多传感器处理的枢纽。
它提供了三个级别,包括入门级平台的性能级别和中级平台的旗舰级别(Premiere)和超级计算平台的派拉蒙(Paramount)。在功能级别上,第四代Snapdragon汽车数字座舱平台支持多个ECU和域的集成,包括仪表盘和座舱,增强现实平视显示器(AR-HUD),信息音频和视频,后座显示器,后视镜更换(电子后视镜)和车载监控服务。
此外,它还提供视频处理功能,并支持集成的行车记录和监视功能。除了强大的性能外,它的最大优点是所有三个级别都使用相同的软件体系结构和框架,这可以降低开发复杂性并缩短商业时间。
同时,它可以帮助汽车制造商为不同级别的汽车提供一致的用户体验,并最大程度地降低其维护成本。此外,该平台还支持高通云服务的SoftSKU功能,该功能可以通过OTA进行升级,以使消费者能够在汽车的整个生命周期中不断获得最新的功能。
目前,高通公司已经从全球25家领先的汽车制造商中的20家获得了信息,音频,视频和数字座舱项目,总订单额超过80亿美元。据悉,第四代Snapdragon汽车数字座舱平台的主要亮点如下:1.高性能计算:第六代KryoCPU提供了下一代汽车数字座舱计算所需的功能和性能。
2.丰富的图形,图像和多媒体支持,沉浸式车内体验:最新一代的AdrenoGPU支持高性能和低功耗的图形,图像,视频和显示处理单元,可渲染多个高分辨率显示器并提供视觉效果3D图形和图像。驾驶员和乘客可以在不同的显示器上体验娱乐内容。
乘客可以在不同的显示器上共享相同的娱乐体验,也可以独家享受自己的高分辨率显示器和媒体内容。新平台采用增强的像素处理功能,支持多通道高清摄像头访问,并且可以在拼接和处理后支持汽车或周围环境的可视化。
此外,新平台可以通过串行接口支持多达16个摄像机访问,并可以通过以太网接口支持更多摄像机。 3.高度直观的AI体验:先进的AI引擎支持驾驶员和乘客的个性化设置,车内虚拟助手,自然语音控制,语言理解,驾驶员监视,驾驶员和乘客识别以及自适应人机界面。
AI引擎支持系统不断学习并适应驾驶员和乘客的喜好。它不仅涵盖媒体或信息,音频和视频内容,还包括汽车控制功能,例如座椅和后视镜位置,HVAC(空调控制)以及针对不同座椅的个性化温度设置,音频内容和音量偏好,为驾驶员提供符合他们喜好和车辆氛围的交互式界面。
4.态势感知和安全增强功能:智能,无干扰的驾驶辅助系统,包括车载监控,儿童和驾驶员识别以及超高清环视监控,可通过物体检测提高路边的安全性。 5.身临其境的音频:个性化的多声区,清晰的车内通信,主动降噪和回声消除,专为。

公司: 深圳市捷比信实业有限公司

电话: 0755-29796190

邮箱: ys@jepsun.com

产品经理: 汤经理

QQ: 2057469664

地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

微信二维码

更多资讯

获取最新公司新闻和行业资料。

  • N+P互补对MOS管31V至100V:高耐压N沟道器件性能解析 N+P互补对MOS管在高压应用中的核心优势在现代电力电子系统中,N+P互补对MOS管因其优异的开关特性与高耐压能力,广泛应用于电源管理、电机驱动及工业控制等领域。其中,工作电压范围覆盖31V至100V的N沟道MOS管,尤其适用于需要...
  • 深入解析N+P互补对MOS管在数字电路中的应用与优势 N+P互补对MOS管的基本原理在现代集成电路设计中,互补金属氧化物半导体(CMOS)技术是主流架构之一。其中,N+P互补对MOS管由一个NMOS(N型沟道MOSFET)和一个PMOS(P型沟道MOSFET)构成,二者协同工作以实现逻辑门功能。1. 工作机制...
  • 40-300V N MOS与0-40V N MOS参数对比:应用场景与选型指南 40-300V N MOS与0-40V N MOS核心参数对比在电源管理、电机驱动及开关电源设计中,N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(N MOSFET)是关键元件。根据耐压范围的不同,可将N MOS分为高耐压型(40-300V)与低压型(0-40V)。以下从多个维度...
  • 深入解析29V耐压N+P互补对MOS管的技术参数与选型要点 29V耐压技术的关键突破随着电力电子系统向更高电压、更紧凑化方向发展,29V耐压的N+P互补对MOS管成为新一代高性能器件的重要代表。其最大额定电压(Vds)达到29V,远超传统12V或15V器件,为复杂系统提供更强的冗余与安全裕量...
  • 0-40V N MOSFET与40-300V N MOSFET性能对比及应用解析 0-40V N MOSFET与40-300V N MOSFET核心参数对比在现代电源管理与功率电子系统中,N沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管(N MOSFET)扮演着关键角色。根据工作电压范围的不同,可将N MOSFET分为两大类:0-40V低电压型与40-300V高电压型。这...
  • 30V互补对N+P MOS管 在现代电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)是不可或缺的组件之一,广泛应用于模拟和数字电路设计中。特别是对于30V互补对N+P MOS管,它在高压应用中表现尤为突出,能够提供优异的性能和稳定性。30V互补对N+...
  • 深入理解N+P互补对MOS管:从材料到性能优化策略 互补对MOS管的核心组成与工作模式N+P互补对指的是在同一芯片上集成的NMOS与PMOS晶体管,它们共同构成互补逻辑门(如CMOS反相器)。这种结构以极低的静态功耗和优异的信号完整性著称,尤其适合高密度集成电路设计。1. NMOS与PM...
  • N+P互补对MOS管工作原理 N沟道和P沟道互补型金属氧化物半导体(CMOS)技术是现代集成电路中最常用的技术之一。CMOS技术利用了N沟道MOSFET(NMOS)和P沟道MOSFET(PMOS)两种晶体管的互补特性,从而实现了低静态功耗、高噪声容限和较好的逻辑电平转换能力...
  • 30V N沟道与P沟道MOS管选型指南:从参数到实际电路设计 如何正确选择30V N沟道与P沟道MOS管?在电源管理、智能控制和便携设备设计中,合理选用30V耐压等级的MOS管是保障系统稳定性和能效的关键。以下从选型标准、电路布局和实际案例出发,提供全面指导。1. 核心选型指标工作电压...
  • N+P互补对MOS管的设计优化与挑战分析 设计中的关键参数考量在实际电路设计中,N+P互补对MOS管的性能不仅取决于其基本结构,还受到多种因素影响。以下为关键设计要素:1. 尺寸匹配(宽长比优化)为了实现对称的传输特性,需合理设置NMOS与PMOS的宽长比(W/L)。通...
  • P沟道与N沟道MOS管100V参数详解:选型与应用指南 P沟道与N沟道MOS管100V核心参数解析在现代电子系统中,MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)因其高开关速度、低导通损耗和良好的热稳定性,被广泛应用于电源管理、电机驱动、信号切换等场景。其中,100V耐压等级的P沟道...
  • 31V至100V互补对N+P MOS管的应用与特性分析 在高压电力电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)扮演着至关重要的角色。特别是那些工作在31V至100V电压范围内的MOS管,它们在电源管理、电机控制、LED驱动等众多领域发挥着重要作用。互补对N+P MOS管是指在同一...
  • 如何正确选用100V P/N沟道MOS管?技术要点全解析 100V P/N沟道MOS管的选型与设计优化策略在电源管理与智能控制领域,合理选用100V耐压的P沟道与N沟道MOS管是保障系统稳定性和效率的关键环节。本文将从性能指标、电路拓扑、热管理等多个维度进行深入剖析。1. 电压与电流匹配原...
  • P沟道与N沟道MOS管在31V至99V高压应用中的性能对比分析 引言在现代电力电子系统中,尤其是高压开关电源、工业控制、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等领域,31V至99V范围内的MOS管选型至关重要。其中,P沟道与N沟道MOS管因其不同的工作原理和特性,在该电压区间内各有优势与适用...
  • N+P互补对MOS管30V技术解析:结构、特性与应用优势 N+P互补对MOS管30V的基本原理在现代模拟与数字集成电路设计中,N+P互补对MOS管(即NMOS与PMOS构成的互补结构)是核心构建单元之一。其中,30V耐压等级的互补对MOS管广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该器件通过在...
  • 如何在8V~29V系统中正确设计P/N沟道MOS管驱动电路 引言:驱动电路的重要性在8V至29V的电力电子系统中,正确设计MOS管的栅极驱动电路是确保器件稳定、高效运行的关键环节。无论是P沟道还是N沟道器件,若驱动不当,可能导致导通不完全、开关速度慢甚至击穿损坏。核心设计原...
  • 深入理解30V N沟道MOS管参数表及其实际应用价值 30V N沟道MOS管参数表解读一份完整的参数表是评估MOS管性能的核心依据。以下是典型30V N沟道MOS管的关键参数示例: 参数名称典型值单位 Vds (Max)30V Vgs (Max)±20V Id (Continuous)20A Rds(on) (Typ)15mΩ Qg (Total Gate Charge)30nC Power Dissipation75W...
  • N+P互补对MOS管在8V至29V电源系统中的应用与设计优化 N+P互补对MOS管概述在现代电子系统中,尤其是电源管理、电机驱动和开关电源(SMPS)领域,N+P互补对MOS管因其优异的导通特性与低功耗表现而备受青睐。这种结构由一个NMOS管(N型)与一个PMOS管(P型)组成,形成互补工作模式,...
  • N+P互补对MOS管在8V至29V电源系统中的应用与优势分析 引言在现代电子系统中,尤其是工业控制、汽车电子和高电压电源管理领域,8V至29V的宽电压范围供电需求日益增长。N+P互补对MOS管(即N沟道与P沟道MOSFET组成的互补结构)因其优异的开关性能和高可靠性,成为该电压区间内核心...
  • 深入解析电阻阵列CN..A系列与SWR..A系列、CRW..A系列的核心差异 引言在电子元器件领域,电阻阵列因其高集成度、稳定性和空间节省优势,广泛应用于精密电路、工业控制及通信设备中。其中,CN..A系列、SWR..A系列和CRW..A系列是市场上常见的三种电阻阵列型号。尽管它们均属于电阻阵列类别,...