10月22日,CNMO发现ZTE Blade V2020 5G已悄悄发布在ZTE官方网站上。在配置方面,该机器配备了Dimensity 800处理器,并辅以中兴通讯的5G超级天线解决方案,支持超完整的5G频段以及360度环绕声集成天线设计祝福,可以智能捕获最好的天线,具有更快的速度和更稳定的信号;配备LPDDR4X内存和UFS 2.1高性能闪存,最高传输带宽为4.2GB / s,连续读取速度最高为950MB / s。
它配备4000mAh大电池,电池寿命长,支持18W快速充电。在设计方面,中兴Blade V2020 5G配备弧形后壳,采用纳米级七层光学设计,并采用芯片级光刻工艺带来极光幻象机身。
正面配备了6.53英寸超小孔全屏,光圈仅为3.56mm,手机屏幕占90.8%,具有97%的高清真彩色域,可以真正还原色彩。在摄像头方面,中兴Blade V2020采用AI超清四摄像头设计。
后置摄像头由一个48百万像素的超清晰主摄像头,一个8百万像素的120度超广角镜头,一个2百万像素的微距镜头和一个200像素的镜头组成。正面有一个16百万像素的Selfie镜头。
此外,该机采用的是Dimensity 800处理器,支持双模5G网络,目前仅提供6GB + 128GB内存版本,售价为1399元,目前已经全面预售,预计将于10月25日之前正式发售。
公司: 深圳市捷比信实业有限公司
电话: 0755-29796190
邮箱: ys@jepsun.com
产品经理: 汤经理
QQ: 2057469664
地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

更多资讯
获取最新公司新闻和行业资料。
- double sum = 0.0; for(int i = 0; i < n; i++) { if(resistors[i] > 0) { sum += 1.0 / resistors[i]; 在C语言中计算并联电阻的总电阻是一个常见的应用问题,它涉及到基本的物理知识与编程技巧的结合。并联电路中的总电阻可以通过所有并联电阻倒数的和的倒数来计算。首先,我们需要定义一个函数来处理这一计算过程。例如...
- 1安铅保险丝直径约0.5至0.8毫米 铅保险丝的直径与所需通过的最大电流有关。一般来说,用于1安培电流的铅保险丝直径大约在0.5毫米到0.8毫米之间,但具体尺寸还需参照实际产品的规格表或制造商提供的数据。因为不同制造商可能有略微不同的设计标准和材料...
- 五向开关DC12(V)0.05(A):应用与技术参数 五向开关DC12(V)0.05(A)是一种电子元件,它在电路设计和设备控制中发挥着重要作用。这种开关通常用于需要控制多个方向或功能的应用场景,例如遥控器、游戏控制器或是小型电子设备的导航按钮等。五向开关能够提供上、...
- 从0.6X0.3mm到0.8X0.8mm:深入对比两种Chip SMD封装规格 Chip SMD-0.6X0.3mm 与 0.8X0.8mm 封装性能对比在电子元器件选型中,Chip SMD-0.6X0.3mm 和 0.8X0.8mm 是两种极具代表性的超小型封装形式。它们虽同属表面贴装技术,但在尺寸、应用场景及制造难度上存在明显差异。1. 尺寸与物理特性对比 参...
- PT100热电阻温度与电阻值对照表(0°C基准0.385) 根据PT100热电阻的标准特性,其电阻值随温度变化而变化,通常基于0°C时电阻为100Ω作为参考。对于给定的温度系数α=0.385Ω/°C(这指的是每度变化的电阻增量),我们可以构建一个简化版的对照表来展示特定温度下对应的电阻值...
- 电阻丝功率计算中乘以0.8的考量 在进行电阻丝功率计算时,将计算结果乘以0.8主要是出于实际应用中的效率损失考虑。电阻丝加热元件在实际工作过程中,由于材料特性、散热条件以及供电电压波动等因素的影响,其实际发热效果往往无法达到理论值。乘以0.8...
- 0-40V N MOSFET与40-300V N MOSFET性能对比及应用解析 0-40V N MOSFET与40-300V N MOSFET核心参数对比在现代电源管理与功率电子系统中,N沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管(N MOSFET)扮演着关键角色。根据工作电压范围的不同,可将N MOSFET分为两大类:0-40V低电压型与40-300V高电压型。这...
- 万用表测电阻显示0.L的原因解析 当使用万用表测量电阻时,如果显示屏上出现“0.L”的读数,这通常意味着被测电阻值小于万用表能够准确显示的最小值。具体来说,“0.L”中的“L”代表低(Low)的意思,表示电阻值过低以至于超出了当前量程设置下的分辨率...
- 0-40V N沟道MOSFET的应用与选择指南 在电子设计中,0-40V N沟道MOSFET是一种常用的半导体器件,广泛应用于电源管理、电机控制和信号放大等场合。正确选择和应用MOSFET对于确保电路性能和可靠性至关重要。本文将探讨如何根据具体需求选择合适的0-40V N沟道MOSFET,并...
- 40-300V N MOS与0-40V N MOS参数对比:应用场景与选型指南 40-300V N MOS与0-40V N MOS核心参数对比在电源管理、电机驱动及开关电源设计中,N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(N MOSFET)是关键元件。根据耐压范围的不同,可将N MOS分为高耐压型(40-300V)与低压型(0-40V)。以下从多个维度...
- 深入解析:0-40V N MOS vs PMV0402-5R0E100 与 PVR10D 的电气特性差异 核心差异:从电气参数看技术定位在实际工程应用中,仅看“电压范围”不足以判断器件优劣。以下从关键电气参数出发,深度剖析三款产品的本质区别。一、关键参数对比表 参数 0-40V N MOS PVR10D PMV0402-5R0E100 最大...
- 0.5A低功耗系统中的高性能组件搭配:揭秘SSXO与低Rds(on) MOS管的黄金组合 0.5A低功耗系统中的高性能组件搭配:揭秘SSXO与低Rds(on) MOS管的黄金组合在追求极致能效与可靠性的电子系统中,0.5A级别的电源管理常被视为“精雕细琢”的领域。本文将聚焦于展频晶体振荡器(SSXO)与低导通电阻MOS管的完美匹...
- 现货SMC磁性开关D-90、D-A93 D-A73:高效可靠的自动化控制选择 现货供应的SMC磁性开关D-90、D-A93和D-A73型号是工业自动化领域中不可或缺的传感设备。这些开关主要用于检测气缸活塞的位置,通过内置的磁感应元件来实现非接触式的信号传输。它们在设计上具备小巧紧凑的特点,能够轻松安装...
- 深入解析:如何根据系统需求选择合适的N MOSFET?40-300V vs 0-40V 为什么不同耐压范围的N MOSFET适用于不同领域?在现代电子系统中,正确选型N MOSFET是保障系统稳定性与效率的关键。本文以40-300V与0-40V两个典型范围为例,深入剖析其技术差异与选型逻辑。1. 工作电压决定耐压选型系统输入电压...
- 压力开关PSF100A-0.5:高精度与可靠性的工业解决方案 压力开关PSF100A-0.5是一款精密设备,用于监测和控制各种工业应用中的压力水平。这款产品以其高精度和可靠性而著称,适用于多种环境条件下使用。PSF100A-0.5的设计使其能够精确地检测到最小的压力变化,并及时作出反应。这种...
- 0-40V N MOS与PVR10D、PMV0402-5R0E100对比分析:性能、应用与选型指南 引言在现代电子系统设计中,功率MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是实现高效能量转换与控制的核心元件。特别是在电源管理、电机驱动和车载电子等领域,选择合适的MOSFET至关重要。本文将对三种常见型号——0-40V N...
- 为什么在零状态条件下,电容在t=0+时可视为短路? 在电路分析中,特别是在讨论暂态响应时,我们会遇到零状态条件下的电容。所谓零状态,是指初始时刻电容两端的电压为零。当考虑电路在施加输入信号的瞬间(即t=0+时),电容由于其存储电荷的能力,在这一时刻可以被视为...
- 0 在探讨电容器存储电能的计算方法时,我们通常会从基本的物理原理出发。首先,我们知道电容器是由两个导体(通常是金属板)组成的,这两个导体之间被一种绝缘材料(称为电介质)隔开。当电容器连接到电源上时,它会在...
- 0欧贴片电阻的最大电流承载能力 0欧贴片电阻通常被设计用于电路中的连接或跳线用途,它们并非为了承载大电流而特别优化。尽管如此,在实际应用中,0欧电阻仍需在安全电流范围内使用以避免过热、损坏或潜在的安全隐患。对于大多数标准的0欧贴片电阻,...
- 关于瓷介电容0.5μF的理解 瓷介电容是一种使用陶瓷材料作为介质的电容器。当提到瓷介电容为“0.5”的时候,通常是指其电容值为0.5微法拉(μF)。微法拉是表示电容大小的一个单位,1μF等于一百万分之一法拉(F)。因此,0.5μF的瓷介电容意味着它能够...