在微软放弃Windows7之前,它的目的也很简单,就是希望这些用户升级Windows10,从目前的情况来看,他们的“阴谋论”是对他们的“阴谋”。已经基本实现。
微软表示,在Windows 7支持周期结束后,整个2020年将进行大规模设备升级,更重要的是,这种升级趋势将在2021年继续。 OEM总收入增加了1%,OEM非专业收入增加了24%,OEMPro总收入下降了9%。
”微软直言不讳地表示,尽管去年Windows 7支持的终止将再次影响其增长速度,但预计对PC和生产力工具的需求仍将保持健康增长。在游戏业务中,预计Xbox平台的参与度将继续保持强劲,并且对Xbox系列X和S的大量需求仍将受到供应的限制。
而且我们的搜索和LinkedIn业务应受益于广告市场的改善。 Windows 7的市场份额正在缓慢下降,但是现在,它仍在约20%的设备上运行。
负责编辑AJX
公司: 深圳市捷比信实业有限公司
电话: 0755-29796190
邮箱: tao@jepsun.com
产品经理: 陆经理
QQ: 2065372476
地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

更多资讯
获取最新公司新闻和行业资料。
- double sum = 0.0; for(int i = 0; i < n; i++) { if(resistors[i] > 0) { sum += 1.0 / resistors[i]; 在C语言中计算并联电阻的总电阻是一个常见的应用问题,它涉及到基本的物理知识与编程技巧的结合。并联电路中的总电阻可以通过所有并联电阻倒数的和的倒数来计算。首先,我们需要定义一个函数来处理这一计算过程。例如...
- 0-40V N沟道MOSFET的应用与选择指南 在电子设计中,0-40V N沟道MOSFET是一种常用的半导体器件,广泛应用于电源管理、电机控制和信号放大等场合。正确选择和应用MOSFET对于确保电路性能和可靠性至关重要。本文将探讨如何根据具体需求选择合适的0-40V N沟道MOSFET,并...
- 费斯托Festo PEV-W-KL-压力开关:工业自动化领域的高效解决方案 费斯托Festo的压力开关PEV-W-KL-是一款高性能的设备,被广泛应用于工业自动化领域。这款压力开关设计紧凑,具有高度的可靠性和精确度,能够在各种恶劣环境下稳定工作。PEV-W-KL-型号的压力开关适用于监测气体或液体的压力,并...
- N沟道MOS管工作原理及应用 N沟道MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一种常见的场效应晶体管,其工作基于电场效应来控制电流。这种类型的晶体管在现代电子设备中有着广泛的应用,从消费电子产品到工业控制系统,乃至最新的计算机芯片技...
- N沟道MOS管100V+参数及应用详解 在电子设计和电路开发中,N沟道MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一种非常重要的元件,特别是在需要高电压处理能力的应用场景下,如电源管理和电机控制等。对于一款标称能够承受100V以上的N沟道MOS管来说,了...
- 400V N沟道MOS管应用及选型指南 在电力电子设备中,N沟道MOS管因其低导通电阻、高速开关性能和高效率而被广泛应用。尤其对于需要承受400V电压的应用场景,选择合适的N沟道MOS管至关重要。本文将探讨如何为您的项目选择适合的400V N沟道MOS管,并提供一些关...
- 30V互补对N+P MOS管 在现代电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)是不可或缺的组件之一,广泛应用于模拟和数字电路设计中。特别是对于30V互补对N+P MOS管,它在高压应用中表现尤为突出,能够提供优异的性能和稳定性。30V互补对N+...
- 接近开关WSC1808-N:高性能与广泛应用 接近开关WSC1808-N是一款高性能的感应设备,它主要应用于自动化控制系统中,用于非接触检测物体的存在或位置。这款接近开关具有体积小巧、安装方便的特点,同时具备较高的检测精度和快速响应时间,能够在各种工业环境中...
- N沟道MOS管8V至29V应用与选择指南 在电子设计中,MOS管作为开关或放大器使用时具有重要的地位。特别是对于N沟道MOS管,其在低侧开关应用中表现尤为出色。针对您提到的8V至29V电压范围内的N沟道MOS管,本文将从以下几个方面进行探讨:1. 理解N沟道MOS管的工作原...
- N沟道30V MOS管参数及应用实例详解 在电子设计和电力电子系统中,MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)是一种非常重要的半导体器件。特别是N沟道30V MOS管,在低压和中压电力转换应用中有着广泛的应用。这类MOS管因其低导通电阻、高速开关性能以及易于驱动等特性...
- 40-300V N沟道MOSFET选型指南 在电子设计中,选择合适的功率MOSFET对于确保电路的高效和稳定运行至关重要。40-300V电压范围内的N沟道MOSFET是许多电源转换、电机控制和其他电力应用中的关键组件。本文将探讨如何根据不同的应用场景选择适合的MOSFET,包括...
- JMV-N积层压敏电阻的应用与特性详解 积层压敏电阻(Multilayer Varistor, MLV),特别是型号为JMV-N的产品,在电子设备中扮演着重要的角色,主要用于过电压保护。这类器件以其小巧的体积、高效的保护性能和良好的热稳定性而受到广泛欢迎。下面将详细介绍JMV-N积层压...
- N+P互补对MOS管工作原理 N沟道和P沟道互补型金属氧化物半导体(CMOS)技术是现代集成电路中最常用的技术之一。CMOS技术利用了N沟道MOSFET(NMOS)和P沟道MOSFET(PMOS)两种晶体管的互补特性,从而实现了低静态功耗、高噪声容限和较好的逻辑电平转换能力...
- 31V至100V互补对N+P MOS管的应用与特性分析 在高压电力电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)扮演着至关重要的角色。特别是那些工作在31V至100V电压范围内的MOS管,它们在电源管理、电机控制、LED驱动等众多领域发挥着重要作用。互补对N+P MOS管是指在同一...
- 1安铅保险丝直径约0.5至0.8毫米 铅保险丝的直径与所需通过的最大电流有关。一般来说,用于1安培电流的铅保险丝直径大约在0.5毫米到0.8毫米之间,但具体尺寸还需参照实际产品的规格表或制造商提供的数据。因为不同制造商可能有略微不同的设计标准和材料...
- N沟道MOS管电压范围从31V到99V的应用与选择 在电力电子和开关电源设计中,N沟道MOSFET因其低导通电阻和高速开关性能而被广泛应用。对于需要处理较高电压的应用场景,选择合适的N沟道MOSFET就显得尤为重要。您提到的31V至99V电压范围,正好覆盖了许多工业控制、电机驱动...
- 电阻精密度1%能代0.1%吗? 不能!其实,对于不是搞计量的不需要分的那么清楚,可以大体上认为高精密、高准确、低误差等是一个意思。但是,对于“精度”一词,可以分解成分解成三个要素: 1 、温度系数:温度变化是电阻的大敌,温度系数一...
- 采样电阻TA-I合金电阻RLM25FEER001 2512 2W 1mΩ 加工定制否品牌TA-I/大毅型号RLM25FEER001种类合金电阻性能高功率材料合金制作工艺合金贴片工艺外形平面片状允许偏差±1%温度系数100PPM/℃额定功率2(W)功率特性大功率频率特性高频产品性质取样电流电阻 采样检测电阻货号W5025...
- OMLON接近开关E2E-X2D1-N-Z: 原装正品,现货供应 OMLON品牌的接近开关E2E-X2D1-N-Z是一款高质量、高精度的检测设备。这款产品以其卓越的性能和可靠性,在各种工业自动化领域得到了广泛的应用。原装正品保证了其优秀的品质与稳定性,能够满足用户对于精确度和耐用性的高标准...
- 接近开关E2E-X3D1-N:非接触式感应技术的应用 接近开关E2E-X3D1-N是一种非接触式的感应开关,被广泛应用于自动化控制领域。这种开关通过电磁感应原理来检测目标物体的存在与否,无需与运动部件进行直接接触即可完成检测任务,从而大大提高了设备的可靠性和使用寿命。...